MOSFET Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, USM de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 760-3114P
Nº ref. fabric.:: 2SK1829(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, USM de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Código RS:: 760-3114P
Nº ref. fabric.:: 2SK1829(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	USM
Serie	2SK
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	100 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.25mm
Longitud	2mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Altura	0.9mm

MOSFET Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, USM de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba