Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	700 V
	Tipo de Encapsulado	TO-247
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,2 Ω
	Modo de Canal	Mejora
	Disipación de Potencia Máxima	156 W
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
	Ancho	20.3mm
	Longitud	15.9mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	48 nC a 10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	5.3mm

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 7,5 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 700 V
	Tipo de Encapsulado TO-247
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1,2 Ω
	Modo de Canal Mejora
	Disipación de Potencia Máxima 156 W
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
	Ancho 20.3mm
	Longitud 15.9mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 48 nC a 10 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 5.3mm

N-channel 700V - 1Ohm - 7.5A - I2PAK Zener-Protected SuperMesh MOSFET

MOSFET - Canal N

El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal o MOSFET es un transistor usado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Una tensión en el electrodo de puerta de aislamiento de óxido puede inducir un canal conductor entre los otros dos contactos denominado Fuente y Drenaje. El canal puede ser de tipo N o tipo P.

Transistor MOSFET STMicroelectronics STW9NK70Z, VDSS 700 V, ID 7,5 A, TO-247 de 3 pines