MOSFET Infineon IRFB7437PBF, VDSS 40 V, ID 195 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 776-9179
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7437PBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 776-9179
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7437PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 195 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.9V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 225 nC a 10 V | |
| Ancho | 4.83mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 16.51mm | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 195 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-220AB | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3.9V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 230 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 225 nC a 10 V | ||
Ancho 4.83mm | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 16.51mm | ||
Serie StrongIRFET | ||
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.