MOSFET STMicroelectronics STD11N65M5, VDSS 710 V, ID 9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 783-3037
- Nº ref. fabric.:
- STD11N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 783-3037
- Nº ref. fabric.:
- STD11N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 710 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 480 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 85 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 17 nC a 10 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Ancho | 6.2mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Altura | 2.4mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 9 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 710 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 480 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 85 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 17 nC a 10 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Ancho 6.2mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Material del transistor Si | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Altura 2.4mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics