MOSFET Panasonic MTM231102LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, Smini3-G1-B de 3 pines, config. Simple

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Documentación Técnica

Transistores MOSFET, Panasonic

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Tipo de Encapsulado	Smini3-G1-B
Serie	MTM
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	30 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	2mm
Ancho	1.25mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.8mm