MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 796-5083P
Nº ref. fabric.:: TK30E06N1
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Producto Descatalogado

Producto Alternativo

Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.

MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS: 168-7775

Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,544 €

(exc. IVA)

0,658 €

(inc.IVA)

Código RS:: 796-5083P
Nº ref. fabric.:: TK30E06N1
Fabricante:: Toshiba

TK30E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	43 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	TK
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	53 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	16 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.16mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	4.45mm
Altura	15.1mm

MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Producto Alternativo

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba