MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 796-5128P
Nº ref. fabric.:: TPC8227-H,LQ(S
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Producto Descatalogado

Código RS:: 796-5128P
Nº ref. fabric.:: TPC8227-H,LQ(S
Fabricante:: Toshiba

TPC8227-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOP
Serie	TPC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Disipación de Potencia Máxima	1,5 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Ancho	3.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Altura	1.52mm

MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET doble de canal N, serie TPC, Toshiba