MOSFET Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 798-2823P
Nº ref. fabric.:: PSMN012-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 23/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,098 €

(exc. IVA)

1,329 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
50 - 95	1,098 €
100 - 245	0,672 €
250 - 495	0,646 €
500 +	0,586 €

Código RS:: 798-2823P
Nº ref. fabric.:: PSMN012-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

PSMN012-60YS, N-channel 60V, 11.1mΩ standard level MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	17,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	89 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	28,4 nC a 10 V
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia