MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS,115, VDSS 80 V, ID 82 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 798-3031P
Nº ref. fabric.:: PSMN8R2-80YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS,115, VDSS 80 V, ID 82 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

2990 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,682 €

(exc. IVA)

2,035 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
5 +	1,682 €

Código RS:: 798-3031P
Nº ref. fabric.:: PSMN8R2-80YS,115
Fabricante:: Nexperia

PSMN8R2-80YS, N-channel LFPAK 80V, 8.5mΩ standard level MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	82 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	130 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	55 nC a 10 V
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Ancho	4.1mm
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS,115, VDSS 80 V, ID 82 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia