MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1483P
Nº ref. fabric.:: IXFX24N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

25,92 €

(exc. IVA)

31,36 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 10/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

	Unidades	Por unidad
	6 - 14	23,52 €
	15 +	22,53 €

Código RS:: 801-1483P
Nº ref. fabric.:: IXFX24N100Q3
Fabricante:: IXYS

IXFK24N100Q3, IXFX24N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	PLUS247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	440 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	1 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.13mm
Ancho	5.21mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	140 nC a 10 V
Altura	21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3