MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1483P
Nº ref. fabric.:: IXFX24N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidad
6 - 14	23,52 €
15 +	22,53 €

Código RS:: 801-1483P
Nº ref. fabric.:: IXFX24N100Q3
Fabricante:: IXYS

IXFK24N100Q3, IXFX24N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	PLUS247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	440 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	1 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	140 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.13mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.21mm
Material del transistor	Si
Altura	21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3