MOSFET IXYS IXFX32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1487P
Nº ref. fabric.:: IXFX32N100Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

MOSFET IXYS IXFX32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 801-1487P
Nº ref. fabric.:: IXFX32N100Q3
Fabricante:: IXYS

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	PLUS247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	320 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.21mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	195 nC a 10 V
Longitud	16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	21.34mm

MOSFET IXYS IXFX32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3