MOSFET onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-1008P
Nº ref. fabric.:: NTD20N06T4G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 802-1008P
Nº ref. fabric.:: NTD20N06T4G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	46 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	60 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.29mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21,2 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor