MOSFET onsemi NTMD5838NLR2G, VDSS 40 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Producto Descatalogado

Documentación Técnica

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	36 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	17 nC a 10 V
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm