Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi NTMD5838NLR2G, VDSS 40 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 802-1064
Nº ref. fabric.:: NTMD5838NLR2G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTMD5838NLR2G, VDSS 40 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

No disponible

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Código RS:: 802-1064
Nº ref. fabric.:: NTMD5838NLR2G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,9 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
	Tipo de Encapsulado	SOIC
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	36 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	3V
	Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
	Configuración de transistor	Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Ancho	4mm
	Longitud	5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	2
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	17 nC a 10 V
	Material del transistor	Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	1.5mm

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 8,9 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
	Tipo de Encapsulado SOIC
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 36 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 3V
	Disipación de Potencia Máxima 2,1 W
	Configuración de transistor Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Ancho 4mm
	Longitud 5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 2
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 17 nC a 10 V
	Material del transistor Si
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 1.5mm

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