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MOSFET
MOSFET IXYS IXFX98N50P3, VDSS 500 V, ID 98 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
Código RS:
802-4506P
Nº ref. fabric.:
IXFX98N50P3
Fabricante:
IXYS
Documentación Técnica
Ver todo MOSFET
Producto Descatalogado
Código RS:
802-4506P
Nº ref. fabric.:
IXFX98N50P3
Fabricante:
IXYS
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Especificaciones
Certificado de conformidad RoHS
Declaración de Conformidad RS
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Atributo
Valor
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
98 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
PLUS247
Tipo de Montaje
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,3 kW
Configuración de transistor
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 °C
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
197 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Ancho
5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
21.34mm