MOSFET onsemi FQA46N15, VDSS 150 V, ID 50 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 808-8982
- Nº ref. fabric.:
- FQA46N15
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
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- 808-8982
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- FQA46N15
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 50 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 42 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 85 nC a 10 V | |
| Ancho | 5mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 20.1mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 50 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V | ||
Serie QFET | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 42 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 250 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 85 nC a 10 V | ||
Ancho 5mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 20.1mm | ||
MOSFET de canal N QFET®, superior a 31 A, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.