MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 23 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 814-1275P
Nº ref. fabric.:: SIR418DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 23 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidad
100 - 240	0,934 €
250 - 490	0,844 €
500 - 990	0,812 €
1000 +	0,792 €

Código RS:: 814-1275P
Nº ref. fabric.:: SIR418DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

SiR418DP, N-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1V
Disipación de Potencia Máxima	39 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	50 nC a 10 V
Ancho	5.26mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.12mm

MOSFET Vishay SIR418DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 23 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor