MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Código RS:: 818-1416
Nº ref. fabric.:: SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 10/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,196 €

(exc. IVA)

1,447 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,196 €	11,96 €
100 - 240	1,136 €	11,36 €
250 - 490	0,957 €	9,57 €
500 - 990	0,897 €	8,97 €
1000 +	0,837 €	8,37 €
*precio indicativo

Código RS:: 818-1416
Nº ref. fabric.:: SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	36 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,5 W
Configuración de transistor	Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10,5 nC a 4,5 V
Longitud	3.15mm
Altura	1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 818-1416
Nº ref. fabric.:: SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7900AEDN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

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