MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 823-5500P
Nº ref. fabric.:: BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Descuento aplicable por cantidad

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,273 €

(exc. IVA)

0,33 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 09/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

	Unidades	Por unidad
	250 - 450	0,185 €
	500 - 1200	0,174 €
	1250 - 2450	0,164 €
	2500 +	0,095 €

Código RS:: 823-5500P
Nº ref. fabric.:: BSS308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSS308PE OptiMOS™ P3 Small-Signal-Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	OptiMOS P
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	130 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.3mm
Material del transistor	Si
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon