MOSFET Infineon BSO301SPHXUMA1, VDSS 30 V, ID 14,9 A, DSO de 8 pines, config. Simple
- Código RS:
- 825-9109
- Nº ref. fabric.:
- BSO301SPHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 825-9109
- Nº ref. fabric.:
- BSO301SPHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 14,9 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | DSO | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,5 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Longitud | 5mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 102 nC a 10 V | |
| Ancho | 4mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Altura | 1.65mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 14,9 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado DSO | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 12 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2,5 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Longitud 5mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 102 nC a 10 V | ||
Ancho 4mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Altura 1.65mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Las familias OptiMOS Infineon BSO301SP H incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos dispositivos cumplen de forma constante las demandas de rendimiento y calidad más altas en especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como resistencia de estado y características de factor de mérito.
Canal P.
Modo de mejora
Nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C.
Modo de mejora
Nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.