MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 825-9162P
Nº ref. fabric.:: IPD031N06L3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

2,134 €

(exc. IVA)

2,582 €

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Unidades	Por unidad
10 +	2,134 €

Código RS:: 825-9162P
Nº ref. fabric.:: IPD031N06L3GATMA1
Fabricante:: Infineon

IPD031N06L3, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	167 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.223mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	59 nC a 4,5 V
Altura	2.413mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V