MOSFET Infineon IRF7319TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8879P
Nº ref. fabric.:: IRF7319TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7319TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,541 €

(exc. IVA)

0,655 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
100 - 180	0,541 €
200 - 480	0,505 €
500 - 980	0,471 €
1000 +	0,435 €

Código RS:: 826-8879P
Nº ref. fabric.:: IRF7319TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7319TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,9 A, 6,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	46 mΩ, 98 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V (canal N), 23 nC a 10 V (canal P)
Material del transistor	Si
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF7319TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon