MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8901P
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 09/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,724 €

(exc. IVA)

0,876 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
100 - 240	0,724 €
250 - 490	0,677 €
500 - 990	0,631 €
1000 +	0,585 €

Código RS:: 826-8901P
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7342TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	170 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	26 nC a 10 V
Ancho	4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm

MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon