MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9092P
Nº ref. fabric.:: IPB120P04P4L03ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

880 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,381 €

(exc. IVA)

1,671 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
10 +	1,381 €

Código RS:: 826-9092P
Nº ref. fabric.:: IPB120P04P4L03ATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB120P04P4L-03, IPI120P04P4L-03, IPP120P04P4L-03 Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Automotive_MOSFETs_Product_Brochure

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS P
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	136 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	180 nC a 10 V
Longitud	10mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.4mm

MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon