MOSFET Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9109P
Nº ref. fabric.:: IPD50P04P413ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica (2)

MOSFET Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,043 €

(exc. IVA)

1,262 €

(inc.IVA)

14950 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

	Unidades	Por unidad
	50 - 100	0,814 €
	125 - 225	0,762 €
	250 - 600	0,709 €
	625 +	0,657 €

Código RS:: 826-9109P
Nº ref. fabric.:: IPD50P04P413ATMA1
Fabricante:: Infineon

Estado RoHS: No aplica

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	OptiMOS P
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	12,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	58 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	39 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	6.22mm
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	2.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPD50P04P413ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon