MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9480P
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S404ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica (2)

MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 826-9480P
Nº ref. fabric.:: IPB80N04S404ATMA1
Fabricante:: Infineon

Estado RoHS: No aplica

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	71 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.25mm
Longitud	10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.4mm

MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon