MOSFET Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-4088P
Nº ref. fabric.:: IRFR9024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

12140 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio total estimado (100 Unidades)
Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

53,40 €

(exc. IVA)

64,60 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
100 - 180	0,534 €
200 - 480	0,50 €
500 - 980	0,465 €
1000 +	0,431 €

Código RS:: 827-4088P
Nº ref. fabric.:: IRFR9024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

IRFR9024NPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Código RS:: 827-4088P
Nº ref. fabric.:: IRFR9024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

IRFR9024NPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	175 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	38 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.22mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	175 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	38 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.22mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon