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MOSFET
MOSFET Toshiba TK20A60W,S5VX(M, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Código RS:
827-6151P
Nº ref. fabric.:
TK20A60W,S5VX(M
Fabricante:
Toshiba
Ver todo MOSFET
Producto Descatalogado
Código RS:
827-6151P
Nº ref. fabric.:
TK20A60W,S5VX(M
Fabricante:
Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Especificaciones
TK20A60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1
Certificado de conformidad RoHS
Declaración de Conformidad RS
COO (País de Origen):
MY
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Atributo
Valor
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de Montaje
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
45 W
Configuración de transistor
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 °C
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
15mm