MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-6274P
Nº ref. fabric.:: TK7P60W,RVQ(S
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Código RS:: 827-6274P
Nº ref. fabric.:: TK7P60W,RVQ(S
Fabricante:: Toshiba

TK7P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	TK
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Disipación de Potencia Máxima	60 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 10 V
Altura	2.3mm

MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba