MOSFET Microchip DN2530N3-G, VDSS 300 V, ID 175 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 829-3320P
- Nº ref. fabric.:
- DN2530N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 829-3320P
- Nº ref. fabric.:
- DN2530N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip DN2530 utiliza una estructura DMOS vertical Advanced y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 300V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 25Ω.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables
Transistores MOSFET, Microchip
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 175 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 300 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 740 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 5.2mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.19mm |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 5.33mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |