MOSFET Microchip DN2535N3-G, VDSS 350 V, ID 120 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 829-3332P
Nº ref. fabric.:: DN2535N3-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip DN2535N3-G, VDSS 350 V, ID 120 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

1300 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio Ud. (Suministrado en Bolsa)

0,789 €

(exc. IVA)

0,955 €

(inc.IVA)

unidades	Por unidad
30 - 90	0,789 €
100 +	0,715 €

Opciones de empaquetado:

Empaquetado estándar

Empaquetado de producción

Código RS:: 829-3332P
Nº ref. fabric.:: DN2535N3-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas

Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	350 V
Tipo de Encapsulado	TO-92
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	25 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.19mm
Longitud	5.2mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C