MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 830-3354P
Nº ref. fabric.:: IRLR2908TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidad
50 - 90	0,784 €
100 - 240	0,734 €
250 - 490	0,686 €
500 +	0,625 €

Código RS:: 830-3354P
Nº ref. fabric.:: IRLR2908TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRLR2908PbF / IRLU2908PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	30 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	120 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 4,5 V
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	6.22mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon