MOSFET Infineon IRLR3103TRPBF, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 830-3363P
Nº ref. fabric.:: IRLR3103TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR3103TRPBF, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Código RS:: 830-3363P
Nº ref. fabric.:: IRLR3103TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRLR/U3103PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	24 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	107 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	6.73mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	50 nC a 4,5 V
Altura	2.39mm
Serie	HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRLR3103TRPBF, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon