MOSFET Infineon IRF6216TRPBF, VDSS 150 V, ID 2,2 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 831-2847P
Nº ref. fabric.:: IRF6216TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF6216TRPBF, VDSS 150 V, ID 2,2 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

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Código RS:: 831-2847P
Nº ref. fabric.:: IRF6216TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF6216PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	240 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Ancho	4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm
Serie	HEXFET

MOSFET Infineon IRF6216TRPBF, VDSS 150 V, ID 2,2 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon