MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 898-6870P
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

3,105 €

(exc. IVA)

3,757 €

(inc.IVA)

4758 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Unidades	Por unidad
2 +	3,105 €

Código RS:: 898-6870P
Nº ref. fabric.:: IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

OptiMOS Power Transistor IPB200N25N3
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	64 nC a 10 V
Ancho	9.45mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	4.57mm

MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Resumen de las características

Ventajas

Aplicaciones potenciales