MOSFET Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 903-4504P
Nº ref. fabric.:: SiHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un tubo)

5,475 €

(exc. IVA)

6,625 €

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642 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*

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Unidades	Por unidad
20 - 48	5,145 €
50 - 98	4,93 €
100 - 198	4,38 €
200 +	4,10 €

Código RS:: 903-4504P
Nº ref. fabric.:: SiHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

SiHB28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	EF Series
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	123 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	9.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	80 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET Vishay SiHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor