MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 130 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 906-4283P
- Nº ref. fabric.:
- IPB065N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal 2 unidades (suministrado en una tira continua)*
7,98 €
(exc. IVA)
9,66 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1526 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 2 + | 3,99 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 906-4283P
- Nº ref. fabric.:
- IPB065N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.