MOSFET Microchip DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1,1 A, DFN de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 916-3725P
Nº ref. fabric.:: DN2625DK6-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1,1 A, DFN de 8 pines, , config. Simple

1430 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio Unidad (suministrado en una bandeja)

3,016 €

(exc. IVA)

3,649 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
25 - 95	3,016 €
100 +	2,902 €

Código RS:: 916-3725P
Nº ref. fabric.:: DN2625DK6-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de canal N DN2625

El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
Baja capacitancia eficaz de salida
Diseñados para cargas inductivas

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	250 V
Tipo de Encapsulado	DFN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,5 Ω
Modo de Canal	Reducción
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7,04 nC a 1,5 V
Material del transistor	Si
Ancho	5.1mm
Longitud	5.1mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.8V

Código RS:: 916-3725P
Nº ref. fabric.:: DN2625DK6-G
Fabricante:: Microchip