MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 917-1457P
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/02/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un tubo)

3,545 €

(exc. IVA)

4,289 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
10 - 28	3,545 €
30 - 118	3,495 €
120 - 238	3,435 €
240 +	3,27 €

Código RS:: 917-1457P
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

N-ch X2-Class Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	X2-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	180 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	21.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	17,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.24mm
Material del transistor	Si
Tensión de diodo directa	1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	5.3mm

MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2