MOSFET, IRF640NPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
1950 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (En un Tubo de 50)
0,668 €
(exc. IVA)
0,808 €
(inc.IVA)
| unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 0,668 € | 33,40 € |
| 100 - 200 | 0,648 € | 32,40 € |
| 250 - 450 | 0,628 € | 31,40 € |
| 500 + | 0,601 € | 30,05 € |
| *precio indicativo | ||
Añadido
- Código RS:
- 919-4817
- Nº ref. fabric.:
- IRF640NPBF
- Fabricante:
- Infineon
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
| Atributo | Valor |
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 150 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 8.77mm |
| Material del transistor | Si |
| Serie | HEXFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 67 nC a 10 V |