MOSFET Infineon IRF3710SPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Descatalogado
Código RS:
919-4993
Nº ref. fabric.:
IRF3710SPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

57 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

9.65mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.83mm

COO (País de Origen):
MX

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


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