NVRAM Cypress Semiconductor CY14B101J2-SXI, 8 pines, SOIC, 1Mbit, 25ns, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V

El Cypress CY14C101J/CY14B101J/CY14E101J combina una NVSRAM[2] de 1 Mbit con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 128K palabras de 8 bits cada una. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, creando una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que las celdas QuantumTrap proporcionan un almacenamiento no volátil de datos muy fiable. Las transferencias de datos de SRAM a los elementos no volátiles (funcionamiento DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar (excepto CY14X101J1). Al encender, los datos se restauran en la SRAM desde la memoria no volátil (operación DE RECUPERACIÓN). El usuario también puede iniciar las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN mediante comandos i 2C.