STMicroelectronics Transistor Darlington 7 500 mA 50 V NPN HFE:1000, SOIC, 16 pines
- Código RS:
- 686-8152P
- Nº ref. fabric.:
- ULN2002D1013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 686-8152P
- Nº ref. fabric.:
- ULN2002D1013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Transistor Darlington | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 500mA | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 50V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Número de elementos por chip | 7 | |
| Ganancia mínima de corriente DC hFE | 1000 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Polaridad del transistor | NPN | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -20°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 1.65mm | |
| Longitud | 10mm | |
| Serie | ULN200xA - ULN200xD1 | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD97 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Transistor Darlington | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 500mA | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 50V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Número de elementos por chip 7 | ||
Ganancia mínima de corriente DC hFE 1000 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Polaridad del transistor NPN | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -20°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 1.65mm | ||
Longitud 10mm | ||
Serie ULN200xA - ULN200xD1 | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD97 | ||
Estándar de automoción No | ||
Matrices de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son matrices de interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington de colector abierto y diodos de supresión integrados para cargas inductivas. La alta corriente nominal de cada salida es de 500 mA o superior. Las entradas están empalmadas frente a las salidas en el encapsulado de IC para simplificar la disposición de la placa de aplicación. La interfaz es el nivel lógico estándar para TTL o CMOS.