Toshiba AEC-Q100 NAND: Circuito integrado digital CMOS 74VHC CMOS, Búfer 2 8 mA TSSOP 14 pines 4

Código RS:: 171-3328
Nº ref. fabric.:: 74VHC20FT
Fabricante:: Toshiba

Toshiba AEC-Q100 NAND: Circuito integrado digital CMOS 74VHC CMOS, Búfer 2 8 mA TSSOP 14 pines 4

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Código RS:: 171-3328
Nº ref. fabric.:: 74VHC20FT
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	Circuito integrado digital CMOS
	Función lógica	NAND
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de elementos	2
	Número de entradas por puerta	4
	Entrada Schmitt Trigger	No
	Encapsulado	TSSOP
	Número de pines	14
	Familia lógica	74VHC
	Tipo de entrada	CMOS, TTL
	Tiempo de retardo de propagación máximo CL	13ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Corriente máxima de salida de nivel alto	-8mA
	Temperatura de funcionamiento máxima	125°C
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Serie	74VHC
	Certificaciones y estándares	AEC-Q100
	Altura	1mm
	Longitud	5mm
	Tensión de alimentación mínima	2V
	Corriente máxima de salida de nivel bajo	8mA
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Tipo de salida	CMOS, Búfer

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto Circuito integrado digital CMOS
	Función lógica NAND
	Tipo de montaje Superficie
	Número de elementos 2
	Número de entradas por puerta 4
	Entrada Schmitt Trigger No
	Encapsulado TSSOP
	Número de pines 14
	Familia lógica 74VHC
	Tipo de entrada CMOS, TTL
	Tiempo de retardo de propagación máximo CL 13ns
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Corriente máxima de salida de nivel alto -8mA
	Temperatura de funcionamiento máxima 125°C
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Serie 74VHC
	Certificaciones y estándares AEC-Q100
	Altura 1mm
	Longitud 5mm
	Tensión de alimentación mínima 2V
	Corriente máxima de salida de nivel bajo 8mA
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Tipo de salida CMOS, Búfer

El 74VHC20FT es una PUERTA NAND DE 4 ENTRADAS CMOS de alta velocidad avanzada fabricado con tecnología C2MOS de puerta de silicio. Alcanza el funcionamiento de alta velocidad similar al TLL Schottky bipolar equivalente al tiempo que mantiene la disipación de potencia baja de CMOS. El circuito interno está compuesto de 3 etapas, incluida una salida de búfer, que proporcionan alta inmunidad al ruido y salida estable. Un circuito de protección de entrada garantiza que se puedan aplicar de 0 a 5,5 V a los contactos de entrada sin tener en cuenta la tensión de alimentación. Este dispositivo se puede utilizar para conectar sistemas de 5 V a 3 V y dos sistemas de alimentación como una batería de respaldo. Este circuito evita la destrucción del dispositivo debido a tensiones de entrada y alimentación desajustadas.

Amplia temperatura de funcionamiento: Topr = -40 a 125 

Alta velocidad: tpd = 3,3 ns (típ.) a VCC = 5,0 V

Baja disipación de potencia: ICC = 2,0 μA (máx) a Ta = 25 

Alta inmunidad frente al ruido: VNIH = VNIL = 28 % VCC (mín)

Se proporciona protección de reducción de potencia en todas las entradas.

Retardos de propagación equilibrados: tPLH ≈ tPHL

Amplia gama de tensiones de funcionamiento: VCC(opr) = 2,0 V a 5,5 V

Contacto y función compatibles con la serie 74 (AC/HC/AHC/LV etc.) tipo 20

Toshiba AEC-Q100 NAND: Circuito integrado digital CMOS 74VHC CMOS, Búfer 2 8 mA TSSOP 14 pines 4

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