Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Winbond
	Tamaño de la Memoria	512Mbit
	Clase SDRAM	LPDDR
	Organización	64M x 8 bit
	Transmisión de Datos	200MHZ
	Ancho del Bus de Datos	32bit
	Ancho del Bus de Direcciones	15bit
	Número de Bits de Palabra	8bit
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo	5ns
	Número de Palabras	64M
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Tipo de Encapsulado	VFBGA
	Conteo de Pines	90
	Dimensiones	13.1 x 8.1 x 0.65mm
	Altura	0.65mm
	Longitud	13.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima	1.7 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento	1.95 V
	Ancho	8.1mm

	Seleccionar todo
	Marca Winbond
	Tamaño de la Memoria 512Mbit
	Clase SDRAM LPDDR
	Organización 64M x 8 bit
	Transmisión de Datos 200MHZ
	Ancho del Bus de Datos 32bit
	Ancho del Bus de Direcciones 15bit
	Número de Bits de Palabra 8bit
	Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 5ns
	Número de Palabras 64M
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Tipo de Encapsulado VFBGA
	Conteo de Pines 90
	Dimensiones 13.1 x 8.1 x 0.65mm
	Altura 0.65mm
	Longitud 13.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
	Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1.7 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C
	Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 1.95 V
	Ancho 8.1mm

Datasheet W949D2DBJX5I

COO (País de Origen):: TW

VDD = 1.7∼1.95V
VDDQ = 1.7∼1.95V
Data width: x16 / x32
Clock rate: 200MHz (-5),166MHz (-6)
Standard Self Refresh Mode
Partial Array Self-Refresh(PASR)
Auto Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)
Power Down Mode
Deep Power Down Mode (DPD Mode)
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Data mask (DM) for write data
Clock Stop capability during idle periods
Auto Pre-charge option for each burst access
Double data rate for data output
Differential clock inputs (CK and CK)
Bidirectional, data strobe (DQS)
CAS Latency: 2 and 3
Burst Length: 2, 4, 8 and 16
Burst Type: Sequential or Interleave
8K refresh cycles/64 mS
Interface: LVCMOS compatible
Support package:
60 balls VFBGA (x16)
90 balls VFBGA (x32)
Operating Temperature Range
Extended: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
Industrial: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits.

Burst Type: Sequential or Interleave
Standard Self Refresh Mode
PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver

SDRAM W949D2DBJX5I, 512Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, VFBGA, 90 pines LPDDR