Transistor bipolar de RF, BFP840FESDH6327XTSA1, NPN 35 mA 2,25 V TSFP, 4 pines, 85 GHz, Simple

El BFP840FESD es un HBT (transistor bipolar de heterounión) de altas prestaciones diseñado específicamente para aplicaciones WiFi de 5-6 GHz. El dispositivo se basa en la tecnología SiGe:C de alto volumen fiable de Infineon. El BFP840FESD proporciona un ajuste de potencia de entrada y salida inherentemente bueno, así como ajuste de ruido inherentemente bueno a 5-6 GHz. El ajuste de ruido y potencia simultáneo sin componentes de ajuste externos en la entrada permite un bajo número de componentes externos, una cifra de ruido muy buena y una ganancia de transductor muy alta en la aplicación WiFi.

Amplificador de bajo nivel de ruido, altas prestaciones y robusto basado en la tecnología de oblea SiGe:C de alto volumen fiable de Infineon
Resistencia ESD de 2 kV (HBM) gracias a los circuitos de protección integrados
Potencia de entrada RF máxima alta de 21 dBm
Ruido mínimo de 0,6 dB
Ganancia máxima de 26 dB
OIP3 de 23,5 dBm típico a 5,5 GHz, 25 mA
Modelo SPICE GP preciso disponible para permitir un diseño efectivo en proceso