Transistor bipolar de baja saturación, DXTP3C100PSQ-13, PNP -3 A -100 V PowerDI5060-8, 8 pines

El DiodesZetex produce un transistor de alta potencia de baja saturación PNP. El dispositivo ofrece BVCEO superior a -100 V y está diseñado para temperaturas superiores a 175 °C, por lo que es ideal para aplicaciones con alta temperatura ambiente. El encapsulado powerDI5060-8 de los dispositivos no contiene plomo, halógenos ni antimonio.

La tensión del colector-emisor es de -100 V. El dispositivo tiene una clasificación de inflamabilidad ul de 94 V-0. El dispositivo tiene una sensibilidad a la humedad de nivel 3 según J-STD-020. El acabado del terminal es estaño mate con recubrimiento de cobre1