MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF640NPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-0014
- Número de artículo Distrelec:
- 303-41-285
- Nº ref. fabric.:
- IRF640NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-0014
- Número de artículo Distrelec:
- 303-41-285
- Nº ref. fabric.:
- IRF640NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 150 W - IRF640NPBF
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, proporcionando una solución fiable para diversos sistemas electrónicos. Su configuración de canal N garantiza una resistencia a la conexión mínima y una alta fiabilidad, por lo que es adecuado para la gestión de la alimentación en entornos industriales y comerciales. Este componente está diseñado específicamente para usuarios de los sectores de la automatización y la electricidad, garantizando un rendimiento óptimo en sus aplicaciones.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de hasta 18 A para un manejo robusto de la potencia
• Funciona eficazmente a niveles de tensión de hasta 200 V para una mayor versatilidad
• La baja resistencia a la conexión minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Los requisitos simplificados del accionamiento facilitan la integración en los circuitos
• Totalmente clasificado para avalanchas para mejorar la seguridad y el rendimiento
Aplicaciones
• Utilizado en circuitos de alimentación para automatización industrial
• Adecuado para el control de motores en robótica
• Ideal para sistemas de energía renovable como inversores solares
• Empleado en sistemas de conmutación de potencia para equipos eléctricos
• Utilizado en etapas de amplificación para equipos de audio
¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?
El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que permite su uso en diversos entornos térmicos sin comprometer el rendimiento.
¿Qué importancia tiene la tensión máxima puerta-fuente?
El MOSFET admite niveles de tensión puerta-fuente de ±20 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro y evita daños durante las operaciones de conmutación.
¿Puede este componente soportar picos de tensión repentinos?
Sí, está totalmente clasificado para avalanchas, lo que le permite soportar breves picos de tensión, lo que mejora su rendimiento en aplicaciones exigentes.
¿Cuál es el impacto de la on-resistencia en la eficiencia global?
La baja resistencia a la conexión reduce considerablemente la disipación de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia energética en aplicaciones de gestión de potencia.
¿Es adecuado para aplicaciones de montaje en superficie?
El encapsulado TO-220AB está diseñado específicamente para el montaje a través de orificios, lo que garantiza una disipación eficaz del calor en lugar del montaje en superficie.
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