MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R040CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4887
Nº ref. fabric.:
IPB60R040CFD7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPA60R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R040CFD7 en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomunicaciones y EV, donde permite mejoras de eficiencia significativas. Como sucesor de la familia MOSFET CFD2 SJ, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y hasta un 69 % menos de carga de recuperación inversa en comparación con la competencia

La mejor resistencia a conmutación dura de su clase

Máxima fiabilidad para topologías resonantes

Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento

Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia

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