MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R040CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4887
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 8,17 € | 16,34 € |
| 10 - 18 | 7,27 € | 14,54 € |
| 20 - 48 | 6,78 € | 13,56 € |
| 50 - 98 | 6,295 € | 12,59 € |
| 100 + | 5,885 € | 11,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4887
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R040CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPB60R040CFD7 en encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como estaciones de carga de servidor, telecomunicaciones y EV, donde permite mejoras de eficiencia significativas. Como sucesor de la familia MOSFET CFD2 SJ, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y hasta un 69 % menos de carga de recuperación inversa en comparación con la competencia
La mejor resistencia a conmutación dura de su clase
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento
Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia
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