MOSFET Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 273-7460
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7460
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-220 | |
| Serie | CoolMOSTMPFD7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-220 | ||
Serie CoolMOSTMPFD7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon ofrece la revolucionaria tecnología Cool MOS para MOSFET de potencia de alta tensión. Está diseñado de acuerdo con el principio de superunión y está liderado por Infineon Technologies. La última Cool MOS PFD7 es una plataforma optimizada adaptada a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, accionamiento de motor, iluminación, etc. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida, combinado con una excelente relación calidad/precio y un nivel de facilidad de uso de vanguardia. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y admite elevada densidad de potencia, lo que permite a los clientes avanzar hacia diseños muy finos.
Diodo de cuerpo rápido
Pérdidas muy bajas
Pérdidas de conmutación bajas Eoss
Excelente comportamiento térmico
Excelente robustez de conmutación
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