MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines

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Código RS:
273-3026
Nº ref. fabric.:
IPW65R099CFD7AXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO-247

Serie

IPW

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AECQ101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N MOS frío de 650 V de Infineon en encapsulado TO-247. Tiene la máxima fiabilidad en el campo que cumple los requisitos de vida útil de la automoción.

Permite diseños de mayor densidad de potencia

Cartera granular disponible

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